IPD031N03LGATMA1 vs IPD78CN10NGATMA1 비교

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Infineon
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 - 100V 13A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD78CN10NGATMA1 - 100V 13A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD78CN10NGATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD031N03LGATMA1 IPD78CN10NGATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.41 $0.78
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 OptiMOS 2 Power-Transistor
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 94 W (Tc) —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.1 mΩ —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] —
Output Charge (Qoss) Ultra low (per datasheet tagline) —
동작 온도 -55 °C to +175 °C (junction) —
패키지 PG-TO252-3-11 (DPAK-2) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Mounting Tab Drain (electrically connected) —
Avalanche Energy Rated Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) —
RoHS 상태 Compliant —
MSL 레벨 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 2
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 13 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 78 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C — 31 W
Operating Junction Temperature Max — 175 C
패키지 / 케이스 — PG-TO252-3 (DPAK)
핀 수 — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC1 for target application

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