IPD30N06S215ATMA2 vs BTS441RGATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD30N06S215ATMA2 제조: Infineon 및 BTS441RGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD30N06S215ATMA2 BTS441RGATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.36 $2.21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies AG
Part Family OptiMOS Power MOSFET —
트랜지스터 유형 N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 30 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 136 W —
패키지 / 케이스 PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -55 C to +175 C (junction) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSL 레벨 MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
Lead-Free / RoHS Green package (lead free), RoHS compliant —
Gate Threshold Type Logic-level compatible —
Packing Tape & Reel (T/R) —
Part Number — BTS441RGATMA1
Switch Type — 1:1 N-Channel High-Side
출력 수 — 1
Continuous Load Current — 17 A
토폴로지 — Smart High-Side Switch
Input Type — CMOS-compatible, ground referenced
Diagnostics — Yes (fault feedback)
Technology — Smart SIPMOS (N-channel vertical FET + charge pump)
패키지 — PG-TO263-5-2 (TO-263-5)
핀 수 — 5
Operating Voltage Range — [DATA_NEEDED: Vbb range, e.g. 6V-42V]
On-State Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 25 C]
Over-Current Protection — Yes (integrated)
Thermal Protection — Yes (overtemperature shutdown)
Over-Voltage Protection — Yes (inductive load clamping)
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q100 automotive grade)
RoHS 상태 — Compliant
Tape and Reel Quantity — 1000 (per reel)

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