IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP045N10N3GXKSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPP075N15N3GXKSA1 제조: Infineon 및 IPP045N10N3GXKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPP075N15N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.92 $2.20
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
패키지 PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
실장 유형 Through Hole Through Hole
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Part Number — IPP045N10N3GXKSA1
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C — [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C]
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) — 137 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V — 4.5 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 3.5 V (typical, per LCSC listing)
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C — 214 W
RoHS 상태 — Compliant (per LCSC datasheet excerpt)
Lead-Free — Yes (Infineon G/GX part suffix)
MSL 레벨 — N/A (through-hole package)

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