IPP100N12S305AKSA1 vs IPP120N08S403AKSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPP100N12S305AKSA1 제조: Infineon 및 IPP120N08S403AKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPP100N12S305AKSA1 IPP120N08S403AKSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.05 $2.15
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
펄스 드레인 전류 [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
패키지 TO-220 (PG-TO220-3-1) TO-220-3-1 (PG-TO220-3-1)
실장 유형 Through Hole Through Hole
핀 수 3 —
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 120 A
Pulsed Drain Current (bondwire-limited) — 245 A at 25 C
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 278 W (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) — 2.8 mOhm typical at VGS=10 V, ID=100 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V max
Total Gate Charge (Qg) — 167 nC
Input Capacitance (Ciss) — 11550 pF
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.54 K/W
MSL 레벨 — MSL1 (peak reflow up to 260 C)
Avalanche Rating — 100% avalanche-tested
RoHS 상태 — Compliant (Green Product)
Channel Type — N-Channel enhancement mode
Technology Family — OptiMOS

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