IPP100N12S305AKSA2 vs BSC014NE2LSIATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPP100N12S305AKSA2 제조: Infineon 및 BSC014NE2LSIATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPP100N12S305AKSA2 BSC014NE2LSIATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.78 $0.48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) 300 W —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
동작 온도 범위 -55C to +175C (TJ) —
패키지 PG-TO220-3-1 (Through Hole) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
실장 유형 Through Hole Surface Mount
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 N/A (Through Hole) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
동작 접합 온도 — -55 °C to +150 °C
Lead-Free — Yes

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