IPTG025N15NM6ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPTG025N15NM6ATMA1 제조: Infineon 및 IQE220N15NM5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPTG025N15NM6ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.52 $0.84
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 26 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 264 A (pulsed) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 395 W —
On-State Resistance RDS(on) typ 2.5 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
패키지 PG-HSOG-8-1 (TOLG) PG-TSON-8-5 (Source-Down)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Solder Joint Reliability Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK —
Product Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 7 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.6 V (typ at 46 µA)
Total Gate Charge (Qg) — 14.4 nC at 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 14 pF
Output Capacitance (Coss) — 340 pF
출력 구성 — Single N-Channel
동작 온도 — -55C to +150C (junction)
MSL 레벨 — 1

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