IPW60R041C6FKSA1 vs IPW60R080P7XKSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPW60R041C6FKSA1 제조: Infineon 및 IPW60R080P7XKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPW60R041C6FKSA1 IPW60R080P7XKSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 NRND 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.40 $2.65
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
동작 온도 범위 -55°C to +150°C -55 C to +150 C (junction)
패키지 PG-TO247-3-1 (TO-247-3) PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole)
실장 유형 Through Hole Through Hole
MSL 레벨 Not Applicable (Through-hole) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 37 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 129 W
RDS(on) (typ) — 69 mΩ at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ, per datasheet family)
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time / Fall Time (tr/tf) — [DATA_NEEDED: tr/tf value]
Packaging — Tube (XKSA1 ordering suffix)

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