IQD063N15NM5SCATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IQD063N15NM5SCATMA1 제조: Infineon 및 IQDH35N03LM5SCATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IQD063N15NM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.35 $2.05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 151 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 14.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 5.1 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 6.32 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.8 V (max) —
Total Gate Charge (QG) at VGS=10V 48 nC —
Input Capacitance (Ciss) 3.6 nF —
Output Capacitance (Coss) 900 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 21 pF —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 333 W —
Maximum Power Dissition (PD) at TA=25°C 3 W —
동작 온도 범위 -55°C to +175°C -55 C to +175 C
패키지 PG-WHSON-8-U02 (WHSON-8 with exposed pad) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
MSL 레벨 — 1 (unlimited)
Marking — IQDH35N03LM5S

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