IQE022N06LM5CGATMA1 vs IRFH5015TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQE022N06LM5CGATMA1 제조: Infineon 및 IRFH5015TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQE022N06LM5CGATMA1 | IRFH5015TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.78 | $0.62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C | 151 A | — |
| R_DS(on) (typical, V_GS=10V) | 2.2 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G value] | — |
| Power Dissipation (T_A) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (T_C) | 100 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C | — |
| 패키지 | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm) | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 9 (with exposed thermal pad) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 56 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 31 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 33 nC |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 156 W |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| 동작 온도 | — | -55C to +150C (TJ max) |