IQE220N15NM5ATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IQE220N15NM5ATMA1 제조: Infineon 및 IPTG025N15NM6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IQE220N15NM5ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.84 $1.52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 22 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V (typ at 46 µA) —
Total Gate Charge (Qg) 14.4 nC at 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 14 pF —
Output Capacitance (Coss) 340 pF —
출력 구성 Single N-Channel —
패키지 PG-TSON-8-5 (Source-Down) PG-HSOG-8-1 (TOLG)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -55C to +150C (junction) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 6 150 V (N-channel trench)
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 264 A (pulsed)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 395 W
On-State Resistance RDS(on) typ — 2.5 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
동작 온도 범위 — -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Solder Joint Reliability — Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK

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