IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQEH68NE2LM7UCGATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 제조: Infineon 및 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.42 | $1.35 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 422 A | — |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | 0.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | +175 degrees C | 175 °C |
| 동작 온도 범위 | -55 degrees C to +175 degrees C | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) |
| 패키지 | PG-TTFN-9-3 | PG-TTFN-9-3 (surface mount) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench-Gate) | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (per distributor listing) |
| Qualification | Industrial grade per Infineon datasheet | — |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 47 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | — | 338 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | — | 130 W |
| Gate Threshold Voltage Type | — | Logic-level (per OptiMOS 7 family) |
| On-Resistance Family | — | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Packaging | — | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) |