IRF150P220AKMA1 vs IRFR4615TRLPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRF150P220AKMA1 제조: Infineon 및 IRFR4615TRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRF150P220AKMA1 | IRFR4615TRLPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.55 | $0.39 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRF150P220AKMA1 | — |
| Technology | StrongIRFET | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 203 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 556 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3.8 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | -55C to +175C |
| 패키지 | TO-247-3 (PG-TO247-3) | TO-252AA (DPAK) |
| 실장 유형 | Through Hole | Surface Mount |
| Terminal Finish | Tin (Sn) | — |
| JESD-609 Code | e3 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 26 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 144 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 109 mJ |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) |
| 단일 펄스 애벌런치 에너지 | — | 109 mJ |