ISC016N08NM8ATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISC016N08NM8ATMA1 제조: Infineon 및 IPD046N08N5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
ISC016N08NM8ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 ISC016N08NM8ATMA1 IPD046N08N5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.02 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 8 OptiMOS™ 5 80V
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS max) 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V (typical rating) —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc] —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 268 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 263 W —
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 1.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
동작 온도 범위 -55 C to +150 C (junction) —
패키지 SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology Trench-gate OptiMOS 8 (silicon) OptiMOS™ 5 trench MOSFET
RoHS 상태 Compliant ROHS3 Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (per Infineon product page) —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8) 1 (per JEDEC J-STD-020)
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 4.6 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
동작 접합 온도 범위 — -55 °C to +175 °C
패키지 / 케이스 — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

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