ISC017N04NM5ATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISC017N04NM5ATMA1 제조: Infineon 및 IPC100N04S5L1R5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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ISC017N04NM5ATMA1 ISC017N04NM5ATMA1 - 40V 1.7mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

ISC017N04NM5ATMA1 - 40V 1.7mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

ISC017N04NM5ATMA1 ✓ 활성
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IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 ISC017N04NM5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $1.18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 193 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A 1.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.4 V —
Gate Charge Qg at VGS=10V 67 nC —
Input Capacitance Ciss at VDS=20V 4800 pF —
Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Power Dissipation at TC=25C 115 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
패키지 PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant (Green Product)
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260C peak reflow)
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
동작 온도 범위 — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100%

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