ISC0805NLSATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISC0805NLSATMA1 제조: Infineon 및 IPT067N20NM6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 ISC0805NLSATMA1 IPT067N20NM6ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.82 $4.85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 5 OptiMOS 6
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 71 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 74 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.3 V —
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V 16 nC —
Input Capacitance Ciss 2.2 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 23 pF —
Output Capacitance Coss 360 pF —
패키지 PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 137 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Technology — Trench-gate OptiMOS 6 silicon
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) typ — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free — Yes
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Configuration — Single N-channel

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