ISC800P06LMATMA1 vs ISZ056N03LF2SATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISC800P06LMATMA1 제조: Infineon 및 ISZ056N03LF2SATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISC800P06LMATMA1 | ISZ056N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.61 | $0.49 |
| FET Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 19.6 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 83 W | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 2.35 V (typ) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C (junction) | -55 C to +175 C |
| 핀 수 | 8 | — |
| Lead-Free | Yes (per Infineon product page) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon datasheet) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | StrongIRFET 2 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 72 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 5.6 mOhm |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |