K3KL1L10GM-JGCT vs K3LK8L80CM-MGCT 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3KL1L10GM-JGCT 제조: Samsung Electronics 및 K3LK8L80CM-MGCT 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3KL1L10GM-JGCT | K3LK8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $30.90 | $0.00 |
| 메모리 유형 | LPDDR5X DRAM (SDRAM) | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 32 Gb (4 GB) | 32 Gbit (4 GB) |
| Interface Organization | x64 | — |
| 데이터 속도 | LPDDR5X-7500 (up to 7500 MT/s) | — |
| Generation | LPDDR5X (premium low-power DRAM) | — |
| Speed vs Previous Generation | Up to 1.25x faster than LPDDR5 | — |
| Power Efficiency vs Previous Generation | Approximately 25% better than LPDDR5 | — |
| 패키지 | 441-ball FBGA | FBGA-315 (315-ball) |
| 실장 유형 | Surface Mount (soldered-down BGA) | Surface Mount (BGA) |
| Application Class | AI edge devices, in-vehicle devices, flagship mobile | Mobile, PC, automotive, on-device AI |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25C to +85C |
| Access Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency / tRCD / tRP timings] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| RoHS 상태 | unknown | Compliant (per JLCPCB listing) |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| 메모리 구성 | — | x32 |
| Max Data Rate | — | 7500 Mbps |
| Supply Voltages | — | 0.5 V, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V (multi-rail) |
| 인터페이스 | — | LPDDR5X (JEDEC low-power DDR) |
| Power Efficiency | — | ~25% improvement vs LPDDR5 |
| Speed Grade Suffix | — | CM-MGCT |
| Package Family | — | FBGA -> BGA -> surface mount |
| Typical End Products | — | Smartphones, tablets, edge AI devices |
| Refresh / Standby Modes | — | Self-refresh, deep power-down (per LPDDR5X protocol) |