K3KL4L40EM-BGCU vs K3KL5L50DM-BGCU 비교

다음의 상세 나란히 비교: K3KL4L40EM-BGCU 제조: Samsung Electro-Mechanics 및 K3KL5L50DM-BGCU 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electro-Mechanics
K3KL4L40EM-BGCU K3KL4L40EM-BGCU - 12GB LPDDR5X DRAM 8533Mbps | Samsung

K3KL4L40EM-BGCU - 12GB LPDDR5X DRAM 8533Mbps | Samsung

K3KL4L40EM-BGCU ✓ 활성
Samsung Electronics
K3KL5L50DM-BGCU K3KL5L50DM-BGCU - LPDDR5X 128Gb 8533Mbps DRAM | Samsung

K3KL5L50DM-BGCU - LPDDR5X 128Gb 8533Mbps DRAM | Samsung

K3KL5L50DM-BGCU ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K3KL4L40EM-BGCU K3KL5L50DM-BGCU
브랜드 Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $78.75 $0.00
메모리 유형 LPDDR5X DRAM LPDDR5X SDRAM
Density 96 Gbit (12 GB) 128 Gb (16 GB)
메모리 구성 x64 [DATA_NEEDED: organization (x)]
데이터 속도 8533 Mbps 8533 Mbps per pin
인터페이스 LPDDR5X (LPDDR5 JEDEC-based) LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface)
패키지 496-ball FBGA [DATA_NEEDED: package ball count / FBGA code]
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA)
공급 전압 [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] —
Application Tablet, Smartphone, Wearable Devices —
Product Family Samsung LPDDR5X (K3KL4L40EM series) —
Companion Densities 64 Gbit (K3KL3L30DM-BGCU), 128 Gbit (K3KL5L50DM-BGCU) —
Power Characteristic Ultra-low-power mobile DRAM —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS 상태 unknown unknown
Ball Count 496 —
Storage Class Volatile memory (DRAM) —
Supply Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD voltage]
Prefetch — 16n (LPDDR5/5X architecture)
Power Efficiency — approx. 20% better than LPDDR5 (per Samsung LPDDR5X family page)
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh scheme]
Production Status — In production (in stock at distributors)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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