K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WF-BCTD 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G165WE-BCTD 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G165WF-BCTD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $11.38 | $8.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| 인터페이스 | Parallel, x16 | SSTL-12 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Die Generation | E-die | — |
| 패키지 | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 (PBGA96) |
| Terminal Count | 96 | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | 0C to +95C |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| 특징 | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh supported |