K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BICH 비교
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Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WB-BICR | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.25 | $4.96 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| 데이터 속도 | 2400 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| 공급 전압 | 1.2 V (VDD/VDDQ) | 1.2V |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| 핀 수 | 78 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| 동작 온도 | — | 0°C to 85°C |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |