K4AAG085WM-BCWE vs H5ANAG8NBJR-VKC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4AAG085WM-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 H5ANAG8NBJR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4AAG085WM-BCWE | H5ANAG8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.00 | $8.60 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) |
| 동작 온도 | 0C to +85C | 0C to +85C |
| 패키지 | 78FBGA | FBGA-78 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | DDR4 (JEDEC-standard) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant, Lead-Free and Halogen-Free |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (internal interface per distributor data) |
| Standby Current | — | 30 mA (operating, per distributor listing) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Refresh Interval | — | [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] |