K4B4G1646 vs K4B4G1646E-BYK000 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646 제조: Samsung Electronics 및 K4B4G1646E-BYK000 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646 | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $11.96 | $0.56 |
| 메모리 유형 | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| 공급 전압 | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | — |
| 패키지 | 96-FBGA | 96-FBGA (BYK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| 특징 | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |
| Access Time | — | 1.25 ns |