K4B4G1646E-BYK0 vs H5TC4G63MFR-PBA 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646E-BYK0 제조: Samsung Electronics 및 H5TC4G63MFR-PBA 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646E-BYK0 | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.80 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| 데이터 속도 | DDR3-1600 (800 MHz) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| 패키지 | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| CAS 레이턴시 | 11 (CL-tRCD-tRP) | — |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | BL8, BL4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |