K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646E-BYK0 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646E-BYK000 제조: Samsung Electronics 및 K4B4G1646E-BYK0 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646E-BYK000 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.56 | $1.80 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| 패키지 | 96-FBGA (BYK) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C (TC) |
| 특징 | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Access Time | 1.25 ns | — |
| Density | — | 4 Gb |
| 공급 전압 | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| 데이터 속도 | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| CAS 레이턴시 | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |