K4B4G1646F-BYK0 vs K4B4G1646D-BYK0 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646F-BYK0 제조: Samsung Electronics 및 K4B4G1646D-BYK0 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646F-BYK0 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.80 | $2.90 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| 공급 전압 | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| 동작 온도 | 0°C to 95°C (TC) | 0°C to 85°C |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (with burst chop 4) |
| CAS 레이턴시 | Programmable | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| 핀 수 | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |