K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH165VB-BIQK 비교
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Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K4RAH086VB-BCWM | K4RAH165VB-BIQK |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $44.55 | $0.00 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| 메모리 크기 | 16 Gb | — |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | 1G x 16 |
| 데이터 속도 | 5600 Mbps | 4800 Mbps (MT/s) |
| 공급 전압 | 1.1 V | — |
| 인터페이스 | DDR5 (parallel) | — |
| 패키지 | FBGA-82 | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| 동작 온도 | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 수명 주기 상태 | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| DLL Enabled Mode | — | Yes (spec mode per datasheet) |
| 브랜드 | — | Samsung Semiconductor |