K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH165VB-BIQK Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics e K4RAH165VB-BIQK por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4RAH086VB-BCWM | K4RAH165VB-BIQK |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | DRAM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $44,55 | $0,00 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamanho da memória | 16 Gb | — |
| Organização da memória | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Taxa de dados | 5600 Mbps | 4800 Mbps (MT/s) |
| Tensão de alimentação | 1.1 V | — |
| Interface | DDR5 (parallel) | — |
| Encapsulamento | FBGA-82 | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| Temperatura de operação | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Status do ciclo de vida | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| DLL Enabled Mode | — | Yes (spec mode per datasheet) |
| Marca | — | Samsung Semiconductor |