K4RBH165VB-BCQK vs K4RBH086VB-BCQK 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4RBH165VB-BCQK 제조: Samsung Electronics 및 K4RBH086VB-BCQK 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK ✓ 활성
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사양 비교

파라미터 K4RBH165VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $0.00
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
메모리 크기 16 Gb —
메모리 구성 1G x 16 2G x 8
데이터 속도 4800 Mbps/pin 4800 Mbps
Speed Grade BCQK (4800 Mbps) —
동작 온도 0 C to +85 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Error Correction On-chip (on-die) ECC —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
공급 전압 [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] —
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Burst Length [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] —
Density — 16 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
인터페이스 — DDR5 (CA bus, ODECC)
On-die ECC — Yes
패키지 — FBGA-82
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Packaging — [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]

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