K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-GF55T 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6X0808C1D-BF55 제조: Samsung Electronics 및 K6X0808C1D-GF55T 제조: Samsung Electro-Mechanics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ 활성Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K6X0808C1D-BF55 | K6X0808C1D-GF55T |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| 카테고리 | DRAM | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.85 | $1.85 |
| 메모리 유형 | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 256 Kbit | 256 Kbit |
| 메모리 구성 | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 공급 전압 | 5 V | 5.0 V |
| Technology | CMOS | — |
| 패키지 | 28-SOP | 28-SOP (450 mil) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Memory Format | SRAM | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| RoHS 상태 | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Process Technology | — | Full CMOS |
| Active Current | — | [DATA_NEEDED: active current] |
| Data Retention Voltage | — | Low data retention voltage supported (per datasheet) |
| Address Bus Width | — | 15 bit |
| 데이터 버스 폭 | — | 8 bit |
| Packaging | — | Tape & Reel (T suffix) |