M29W640GT70N3F vs M29W640GB70N3F 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W640GT70N3F 제조: Micron Technology 및 M29W640GB70N3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W640GT70N3F | M29W640GB70N3F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | Obsolete |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $2.66 |
| 메모리 유형 | NOR Flash - Parallel | NOR Flash, Parallel |
| Density | 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) | 64 Mb (8 MB) |
| 메모리 구성 | 8M x 8 / 4M x 16 | x8 / x16 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Voltage | 3 V (single supply) | — |
| Bus Width | x8 / x16 selectable | — |
| Block Architecture | Top boot block | Uniform block (GB variant) |
| 패키지 | 48-TSOP I (N3) | 48-TSOP I |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level | 3 (168 Hours) | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: ICC standby] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Part Status | Obsolete | Obsolete |
| Qualification | — | Automotive AEC-Q100 |
| Program/Erase Interface | — | Parallel command set with status polling |
| RoHS 상태 | — | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Read Current | — | [DATA_NEEDED: active read current] |