MT53E2G64D8TN-046 vs H58G66CK8BX147N 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT53E2G64D8TN-046 제조: Micron Technology 및 H58G66CK8BX147N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron
MT53E2G64D8TN-046 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | MT53E2G64D8TN-046 | H58G66CK8BX147N |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $34.60 |
| 메모리 유형 | Mobile LPDDR4X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| 메모리 크기 | 128 Gbit (16 GB) | — |
| 메모리 구성 | 2G x 64 | x8 (single channel) |
| 인터페이스 | Parallel | LPDDR5/LPDDR5X protocol |
| Clock Frequency | 2.133 GHz | — |
| Access Time | 3.5 ns | — |
| Speed Grade | -046 (4266 Mbps/pin) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V / 1.8 V (per variant) | — |
| 패키지 | 556-ball LFBGA (12.4 mm x 12.4 mm) | 315-ball FBGA |
| Ball Pitch | [DATA_NEEDED: ball pitch] | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (AAT:C) | 0C to +95C | — |
| Operating Temperature (AIT:C) | -40C to +95C | — |
| Operating Temperature (AUT:C) | -40C to +105C | — |
| Automotive Qualification (AUT variant) | AEC-Q100 qualified | — |
| 데이터 버스 폭 | 64 bit | — |
| Write Cycle Time | 18 ns | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 64 Gbit (8 GB) |
| Maximum Data Rate | — | 8533 Mbps |
| Supply Voltage Domain | — | 0.5 V to 1.8 V |
| Core Voltage Class | — | 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class) |
| Standard Compliance | — | JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification) |
| Channel Configuration | — | Single channel (x8 or x16 capable family) |
| Power Management | — | Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ) |
| Application Domain | — | Smartphone, AI edge, server-class mobile computing |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh Scheme | — | LPDDR5 per-bank / all-bank refresh |