N25Q512A83G12A0F vs N25Q512A13GSFA0F 비교
다음의 상세 나란히 비교: N25Q512A83G12A0F 제조: Micron Technology 및 N25Q512A13GSFA0F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | N25Q512A83G12A0F | N25Q512A13GSFA0F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.20 | $5.35 |
| 메모리 유형 | Flash - NOR Memory IC | SPI NOR Flash (Multiple I/O) |
| Memory Capacity | 512 Mbit (64 MB) | — |
| 메모리 구성 | 128M x 4 | 512M/256M/128M x 1Bit/2Bit/4Bit |
| 인터페이스 | SPI - Multiple I/O (Standard/Dual/Quad) | SPI-compatible serial bus |
| Clock Frequency | 108 MHz | — |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V (3V class) | 2.7 V to 3.6 V |
| Cell Type | SLC | — |
| Sector Erase Size | 4 KB | 4 KB |
| 패키지 | 24-T-PBGA (6x8 mm) | 16-Pin SOIC (SOP-II 16/16) |
| Package Structure | Dual-Die Package (DDP) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Program/Erase Protection | Software and hardware write protection | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 512 Mbit (64 MByte) |
| Max Clock Frequency (STR) | — | 108 MHz |
| Max Clock Frequency (DTR) | — | 54 MHz |
| Access Time | — | 7 ns |
| Construction | — | Stacked device (two 256Mb die) |
| Protocols | — | Standard, Dual Output, Dual I/O, Quad Output, Quad I/O, DTR |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Temperature Grade | — | Automotive |