NT5AD512M16B4-HR vs MT40A512M16TB-062E:J 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5AD512M16B4-HR 제조: Nanya Technology 및 MT40A512M16TB-062E:J 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5AD512M16B4-HR | MT40A512M16TB-062E:J |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $43.10 | $8.10 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| Density | 8Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 공급 전압 | 1.2V | — |
| 패키지 | 96-ball TFBGA | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 메모리 크기 | — | 8Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C |
| Internal Banks (x16) | — | 8 (2 groups of 4 banks each) |
| Prefetch Architecture | — | 8n-bit |
| 동작 온도 범위 | — | 0°C to 95°C |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |