PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH086VE-BCWM 비교
다음의 상세 나란히 비교: PDRQLAKCDF12-00 제조: Samsung Electronics 및 K4RAH086VE-BCWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 ✓ 활성Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | PDRQLAKCDF12-00 | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $13.60 | $7.60 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| 메모리 구성 | 1G x 16 | 2G x 8 |
| 데이터 속도 | 7200 Mbps per pin | 5600 Mbps |
| Speed Bin | DDR5-7200 | — |
| Operating Voltage | 1.1 V | — |
| 패키지 | 102-ball FBGA | 82-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Generation | DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) | DDR5 |
| 인터페이스 | JEDEC DDR5 | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| tCK / Cycle Time | [DATA_NEEDED: clock cycle time] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| 수명 주기 상태 | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |