W9751G6KB-25 vs W9751G6KB-25-TR 비교
다음의 상세 나란히 비교: W9751G6KB-25 제조: Winbond 및 W9751G6KB-25-TR 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | W9751G6KB-25 | W9751G6KB-25-TR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Winbond |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.92 | $1.62 |
| 메모리 유형 | Volatile DRAM (DDR2 SDRAM) | Volatile DRAM, DDR2 SDRAM |
| 메모리 크기 | 512 Mbit (32M x 16) | 512 Mbit (64 MB) |
| 메모리 구성 | 32M words x 16 bits | 32M x 16 (8M words x 4 banks x 16 bits) |
| Speed Grade | -25 (DDR2-800) | — |
| Clock Frequency | 400 MHz | 400 MHz (DDR2-800) |
| 데이터 속도 | 800 MT/s | 800 MT/s |
| Access Time | 57.5 ns (CAS latency timing window) | 57.5 ns (clock cycle) |
| 공급 전압 | 1.8 V typical | — |
| 인터페이스 유형 | Parallel DDR2 (SSTL_18) | — |
| 패키지 | 84-ball WBGA / TFBGA, 8 x 12.5 mm | 84-WBGA (8 x 12.5 mm) |
| Refresh Cycles | 8K (per JEDEC DDR2 standard) | — |
| Burst Length | 4 or 8 (programmable) | 4, 8 (with burst chop) |
| CAS 레이턴시 | Programmable (typically 3 to 6) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Self Refresh | Yes | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature grade] | 0 C to 85 C (commercial) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | RoHS Compliant |
| 인터페이스 | — | Parallel, SSTL_18 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.7 V to 1.9 V (1.8 V nominal) |
| Number of Banks | — | 4 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, programmable |
| Self-Refresh / Power-Down | — | Supported |
| Delivery Form | — | Tape and Reel (TR) |