BSC014N04LSTATMA1 vs BSC018N04LSGATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSC014N04LSTATMA1 disebabkan oleh Infineon dan BSC018N04LSGATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSC014N04LSTATMA1 BSC018N04LSGATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC014N04LSTATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A 30 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 115 W —
Gambaran Suhu Operasi -55°C to +150°C -55°C to +150°C (TJ)
Kemasan PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Kiraan Pin 8 —
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free plating)
Aras MSL MSL1 —
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 125 W
Power Dissipation (PD) @ TA=25°C — 2.5 W
RDS(on) Max @ VGS=10 V — 1.8 mΩ
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
JEDEC Qualification — Yes (qualified per JEDEC for target applications)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga