BSC014N04LSTATMA1 vs BSC018N04LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014N04LSTATMA1 tarafından Infineon ve BSC018N04LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC014N04LSTATMA1 BSC018N04LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC014N04LSTATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A 30 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 115 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55°C to +150°C (TJ)
Paket PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free plating)
MSL Seviyesi MSL1 —
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 125 W
Power Dissipation (PD) @ TA=25°C — 2.5 W
RDS(on) Max @ VGS=10 V — 1.8 mΩ
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
JEDEC Qualification — Yes (qualified per JEDEC for target applications)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin