BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSC023N08NS5SCATMA1 disebabkan oleh Infineon dan BSC117N08NS5ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSC023N08NS5SCATMA1 BSC117N08NS5ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 BSC117N08NS5ATMA1
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
Suhu Hubungan Operasi -55 °C to +175 °C —
Kemasan PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) max — 49 A (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 11.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 50 W
Kiraan Pin — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Gambaran Suhu Operasi — -55 C to +150 C (typical MOSFET junction)
Lead-Free — Yes
Aras MSL — 1

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga