H5TC4G63CFR-PBL vs H5TC4G63CFR-PBA Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci H5TC4G63CFR-PBL disebabkan oleh SK hynix dan H5TC4G63CFR-PBA disebabkan oleh SK hynix. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ Aktif
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBA
Merek SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $6.23
Jenis Ingatan DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Saiz Ingatan 4 Gb (256M x 16) —
Tegangan Pemberi Arus 1.35 V —
Kadar Data 1600 Mbps (PC3L-12800) —
Kemasan 96-ball FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (PBGA96)
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Form BALL —
Burst Length 8 —
Latensi CAS 11, 12, 13 —
Number of Banks 8 —
Refresh Period 7.8 us at 85C —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Boson Bebas Yes Yes
Density — 4Gb
Organisasi — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga