IAUCN04S6N013TATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IAUCN04S6N013TATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IAUCN04S7N019GATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IAUCN04S6N013TATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 230 A at T<sub>C</sub> —
R<sub>DS(on)</sub> (max) 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 133 W at T<sub>C</sub> —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 2.6 V (typ) —
Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) 1.08 nF —
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) 3.7 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) 51 pF —
Suhu Hubungan Operasi -55 °C to +175 °C —
Kemasan PG-LHDSO-10-1 (SSO10T) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)
Gambaran Suhu Operasi — [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga