IAUCN04S6N013TATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S6N013TATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N019GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUCN04S6N013TATMA1 IAUCN04S6N013TATMA1 - 40V N-Channel Automotive MOSFET | Infineon

IAUCN04S6N013TATMA1 - 40V N-Channel Automotive MOSFET | Infineon

IAUCN04S6N013TATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUCN04S6N013TATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 230 A at T<sub>C</sub> —
R<sub>DS(on)</sub> (max) 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 133 W at T<sub>C</sub> —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 2.6 V (typ) —
Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) 1.08 nF —
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) 3.7 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) 51 pF —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז PG-LHDSO-10-1 (SSO10T) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר