IPD5N25S3430ATMA1 vs IPD60R180P7ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPD5N25S3430ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPD60R180P7ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPD5N25S3430ATMA1 IPD60R180P7ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (planar-trench) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 20 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 430 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V typ / 4 V max —
Input Capacitance (Ciss) 422 pF typical —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 41 W —
Suhu Hubungan Operasi -55 °C to +175 °C -55C to +150C
Kemasan PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TO252-3 (DPAK)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Lead Finish Matte Tin (lead-free) —
Aras MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Configuration Single, 3-pin (2+Tab) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 18 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 180 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Power Dissipation (PD) at TC=25C — 72 W
Lead-Free — Yes
Shipping Package — Tape and Reel (ATMA1 suffix)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga