IPD5N25S3430ATMA1 vs IPD60R180P7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD5N25S3430ATMA1 توسط Infineon و IPD60R180P7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD5N25S3430ATMA1 IPD5N25S3430ATMA1 - 250V 5A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD5N25S3430ATMA1 - 250V 5A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD5N25S3430ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 - 600V 180mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R180P7ATMA1 - 600V 180mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R180P7ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD5N25S3430ATMA1 IPD60R180P7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (planar-trench) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 20 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 430 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V typ / 4 V max —
Input Capacitance (Ciss) 422 pF typical —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 41 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C -55C to +150C
بسته‌بندی PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TO252-3 (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
وضعیت RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Lead Finish Matte Tin (lead-free) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Configuration Single, 3-pin (2+Tab) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 18 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 180 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Power Dissipation (PD) at TC=25C — 72 W
Lead-Free — Yes
Shipping Package — Tape and Reel (ATMA1 suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت