IPD60R2K0PFD7SAUMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPD60R2K0PFD7SAUMA1 disebabkan oleh Infineon dan BSC076N04NDATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPD60R2K0PFD7SAUMA1 BSC076N04NDATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 OptiMOS 3
Technology Superjunction N-Channel MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 3 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 20 W —
R_DS(on) at V_GS = 10 V 2000 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Kemasan PG-TO252-3-344 (DPAK) —
Kiraan Pin 3 (Gate, Drain, Source) —
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Gambaran Suhu Operasi -55 C to +150 C (junction) —
Tingkat sensitiviti Air Nama (MSL) MSL2 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Compliant —
Standard Pack Quantity 2500 pcs / 13-inch reel —
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Suhu Hubungan Operasi — -55 C to +175 C
Kemasan / Case — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga