MT41K256M16 vs MT41K256M16RE-125:D Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci MT41K256M16 disebabkan oleh Micron Technology dan MT41K256M16RE-125:D disebabkan oleh Micron Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Micron Technology
MT41K256M16 MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology

MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology

MT41K256M16 ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr MT41K256M16 MT41K256M16RE-125:D
Merek Micron Technology Micron Technology
Kategori DRAM Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan DDR3L SDRAM (1.35V) DDR3L SDRAM
Saiz Ingatan 4 Gbit —
Organisasi 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35 V (1.5V-compatible mode supported) —
Banks 8 —
Kemasan 96-ball FBGA FBGA-96 (9x14 mm)
Jenis Pemasangan Surface Mount —
Speed Grade Options -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options] —
Antaramuka Parallel, source-synchronous DDR —
On-Die Termination Yes (ODT) Yes
Suhu Operasi [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix] 0C to +95C (TC)
Refresh 8K refresh cycles / 64 ms —
CAS Latency Options [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix] —
Die Revision Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs —
Status RoHS Compliant —
ECCN EAR99 —
Lead Free Yes (per DigiKey product listing) —
Density — 4 Gb
Tegangan Pemberi Arus — 1.35 V
Kadar Data — 1600 MT/s
Latensi CAS — 11
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Burst Length — 8, 4
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga