MT41K256M16 vs MT41K256M16RE-125:D مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16 بواسطة Micron Technology و MT41K256M16RE-125:D بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT41K256M16 MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology

MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology

MT41K256M16 ✓ نشط
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT41K256M16 MT41K256M16RE-125:D
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة DRAM Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM (1.35V) DDR3L SDRAM
حجم الذاكرة 4 Gbit —
التنظيم 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35 V (1.5V-compatible mode supported) —
Banks 8 —
العلبة 96-ball FBGA FBGA-96 (9x14 mm)
نوع التركيب Surface Mount —
Speed Grade Options -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options] —
الواجهة Parallel, source-synchronous DDR —
On-Die Termination Yes (ODT) Yes
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix] 0C to +95C (TC)
Refresh 8K refresh cycles / 64 ms —
CAS Latency Options [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix] —
Die Revision Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs —
حالة RoHS Compliant —
ECCN EAR99 —
Lead Free Yes (per DigiKey product listing) —
Density — 4 Gb
جهد التغذية — 1.35 V
معدل البيانات — 1600 MT/s
زمن الوصول CAS — 11
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Burst Length — 8, 4
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر