BSC035N04LSGATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC035N04LSGATMA1 por Infineon e BSC030N03MSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC035N04LSGATMA1 | BSC030N03MSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,48 | $0,43 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 3M |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | 69 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55°C to +150°C | -55°C to +150°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25°C | — | 69 W |
| Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) | — | 4.5V / 10V |
| Status | — | Active |