BSC035N04LSGATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC035N04LSGATMA1 от Infineon и BSC030N03MSGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC035N04LSGATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC035N04LSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,48 $0,43
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 3M
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 69 W —
Рабочая температура перехода -55°C to +150°C -55°C to +150°C
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Корпус PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad)
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 3.0 mΩ (typical at VGS=10V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25°C — 69 W
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) — 4.5V / 10V
Status — Active

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену