BSC035N04LSGATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC035N04LSGATMA1 メーカー: Infineon および BSC030N03MSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC035N04LSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $0.43
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 3M
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 69 W —
動作接合温度 -55°C to +150°C -55°C to +150°C
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 3.0 mΩ (typical at VGS=10V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25°C — 69 W
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) — 4.5V / 10V
Status — Active

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