BSC035N10NS5ATMA1 vs BSC040N10NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC035N10NS5ATMA1 por Infineon e BSC040N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC035N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,12 $0,93
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC035N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS max) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
On-Resistance (RDS(on) max) 3.5 mOhm —
Power Dissipation (TA=25C) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc=25C) 156 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel MOSFET —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Gate Drive Logic-level compatible (10V VGS) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] —
Status RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) — 4 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) max — 136 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 139 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Output Capacitance Reduction — Up to 44% vs previous generation
RDS(on) Reduction — Up to 43% vs previous generation
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family)

Fichas técnicas e recursos

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